비앤피사이언스
TPS-2000M
8년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 열유체장비 > 달리 분류되지 않는 열유체장비
2005-03-11
187,000,000원
기관의뢰
고정형
시간별
7,792원
한국광기술원 건립
활용분야
◦적용가능 기판크기 : 2 ~ 3인치 Wafer
◦적용가능 기판 : Sapphire to Sapphire, Sapphire to Silicon,
Silicon to Glass, Glass to Glass, GaAs to Silicon
◦적용가능 bonding metal : Au-Au, Au-Sn 등
◦Bonding 능력 : 2 wafer/Batch
◦Bonding 온도 : 상온 ~ 550℃
◦Bonding 압력 : 대기압 ~ 12Bar, (Max : 14Bar)
◦Bonding 시간 : ~ 2시간
◦동작모드 : Auto/Manual 모드 가능
◦Wafer jig는 SiC coated graphite를 이용
spec. - 2 " x 2 loading 전원 - 220V 3P 50/60Hz.Utility - CDA : 압력 5~10kgf/cm2. GN2 : 압력 2kgf/cm2. PCW : 3kgf/cm2Software - wafer bonding operation program : 1set