ABM
AB-MA620B
9년
주장비
기타
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2005-03-08
227,786,120원
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
46,400원
마스크를 이용하여 샘플의 표면에 패턴을 형성
◦적용가능 기판크기 : 10mmx10mm 조각~4인치 Wafer
◦사용가능 마스크 크기 : 4인치×4인치, 5인치×5인치, 6인치×6인치
◦노출광원 : Hg-Lamp 500 W, 자외선 (UV) 파장대 : 365~405 ㎚
◦노광형태 : Proximity, Soft/Hard contact, Soft Vacuum contact,
Vacuum contact
◦노광간격 : 1~100㎛, 간격 조절 해상도 : 2.5㎛
◦노광시간 : 0.1~999.9초, 0.1초 간격
◦분 해 능 :
- Proximity in 20㎛ gap : 3㎛
- Soft / Hard contact : 2㎛
- Vacuum contact : 0.6~0.8㎛
◦정렬(Alignment) 방법 및 정확도
- 윗면정렬 (Top Side Alignment) : 0.5㎛
- 뒷면정렬 (Back side Alignment) : 1㎛
◦윗면 정렬 배율 : 600배 이상,
뒷면 정렬 배율 : Infrared Lamp 이용 방식으로 윗면정렬과 동일
◦Wedge Error Compensation 가능
적용가능 기판크기 : 10mmx10mm 조각~4인치 Wafer
사용가능 마스크 크기 : 4인치×4인치, 5인치×5인치, 6인치×6인치
노출광원 : Hg-Lamp 500 W, 자외선 (UV) 파장대 : 365~405 ㎚
;노광형태 : Proximity, Soft/Hard contact, Soft Vacuum contact,
Vacuum contact
노광간격 : 1~100㎛, 간격 조절 해상도 : 2.5㎛
노광시간 : 0.1~999.9초, 0.1초 간격
분 해 능 :
- Proximity in 20㎛ gap : 3㎛
- Soft / Hard contact : 2㎛
- Vacuum contact : 0.6~0.8㎛
정렬(Alignment) 방법 및 정확도
- 윗면정렬 (Top Side Alignment) : 0.5㎛
뒷면정렬 (Back side Alignment) : 1㎛
윗면 정렬 배율 : 600배 이상,
뒷면 정렬 배율 : Infrared Lamp 이용 방식으로 윗면정렬과 동일
Wedge Error Compensation 가능