RIBER (프랑스)
Compact 21 EB
9년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2005-02-18
928,866,950원
기관의뢰
고정형
시간별
220,000원
1)ZnO 에피층 성장 장치로써, 금속산화물계 박막성장 가능, 각 금속 분자원(셀)에서 분자선이 방출되어 반도체 기판위에 결정이 성장되는 원리
2)성장 챔버
- 기판홀더 크기 : 1㎠ 사각형, 2인치 wafer, 3인치 wafer
- 기판최대온도 : 1200 ℃
- ZnO E-beam port, 산소 플라즈마, K-cell (As, Ga, Be, Mg, Cd, Se)
- Flux gauge, RGA, RHEED, 수정 진동자 두께 측정기, 액체 질소 공급 (진공관)
3)
성장 챔버 펌핑 시스템
- Turbo molecular pump (1950 l/s)
- 열처리 온도 : 800 ℃
- Ion pump : 200 l/s
컨트롤 시스템 소프트 웨어 : Crystal eyes
성장 챔버- 기판홀더 크기 : 1㎠ 사각형, 2인치 wafer, 3인치 wafer- 기판최대온도 : 1200 ℃- ZnO E-beam port, 산소 플라즈마, K-cell (As, Ga, Be, Mg, Cd, Se)- Flux gauge, RGA, RHEED, 수정 진동자 두께 측정기, 액체 질소 공급 (진공관)성장 챔버 펌핑 시스템- Turbo molecular pump (1950 l/s)- 열처리 온도 : 800 ℃- Ion pump : 200 l/s컨트롤 시스템 소프트 웨어 : Crystal eyes