한국베리안
E220
11년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 이온주입장치
2005-07-11
800,000,000원
기관의뢰 직접사용
고정형
건별
90,000원
반도체 wafer를 고진공(10E-6 Torr 이하) 상태에서 원자 이온 을 목표물의 표면을 뚫고 들어갈 만큼 에너지를 갖게 하여 웨이퍼 속으로 붕소, 인, 비소 등의 불순물 이온을 주입함으로써 균일한 Doping을 할 수 있는 장비이다.
각 불순물을 에너지를 5KeV에서 220KeV까지 가능하며, 도핑농도를 1E12에서 1E16까지 가능하여, 다양한 깊이와 농도로 도핑을 할 수 있다.
As+ 1E11 ~ 1E16 ions/cm2
P+ 1E11 ~ 1E16 ions/cm2
BF2+ 1E11 ~ 1E16 ions/cm2
B+ 1E11 ~ 5E15 ions/cm2
Ar 1E11 ~ 1E16 ions/cm2