Tepla
300 Semi-Auto
10년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2005-01-01
144,251,337원
기관의뢰 직접사용
고정형
건별
100,000원
사진 식각에서 사용되는 Photoresist를 Dry Etch 또는 Ion Implant 공정 이후 O2 가스를 이용하여 제거
4, 6인치 공정만 가능 Dry Ashing 후 잔여 PR을 완전히 제거하기 위해 Wet PR Strip 공정 진행 1-5 steps, 100 recipes 저장 가능
사진 식각에서 사용되는 Photoresist를 Dry Etch 또는 Ion Implant 공정 이후 O2 가스를 이용하여 제거
- Pump : Leybold, Rotary, D 65 BCS- Power : Microwave, 2.45GHz, 1000W- MFC : Brooks, O2, 2000sccm