Unaxis
VERSALINE ICP(Oerlikon VLN)
9년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2005-01-01
430,520,660원
기관의뢰 직접사용
고정형
건별
200,000원
ICP(Inductively Coupled Plasma)방식의 반응성 가스 C4F8, SF6, Ar를 이용한 산화막 에칭 장비로 C/F비가 큰 C4F8 가스를 사용한다. 이들의 CxFy계 환상(環狀)가스의 사용에 의하여 플라즈마 중에서 중합반응이 일으켜 Poly Si, Silicon 박막 식각이 가능하다.
Dry pump : Alcatel ADP122P 1,500ℓ/min Turbo pump : Edwards STP-A1303CV 900ℓ/sec RF Generator PM, Coil : 2500W, 2MHz Electrode : 600W, 13.56MHz Gas C4F8:400sccm, Ar:100sccm, SF6:600sccm, O2:100sccm