㈜울텍
PDS series
9년
주장비
교육
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 이온주입장치
2005-04-15
420,000,000원
고정형
기타
120,000원
Source : BF3, PH3, GeH4, Ar
Substrate temperature : room temperature
기판 온도조절 안됨.
Substrate size : 6 inch
RF power range : 50 ~ 600 W
Bias voltage : 30 ~ 4500 V
Self bias voltage : 30 V
Maximum doping concentration :
~1E22 atom/cm3
Frequency : 1 ~ 200 Hz
Matching type : Auto / manual
Matching box : 2개
Process chamber pressure : ~ 5E-17 Torr
Process chamber gauge type : ion gauge
Loading chamber pressure : ~ 5E-16 Torr
Loading chamber gauge type : ion gauge