oxford
100ICP180
10년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2003-01-30
650,877,090원
직접사용
고정형
시간별
271,199원
LED 제조용 사파이어 및 GaN 식각 용 장비로 로드락챔버, 메인챔버 및 피씨, 쓰로틀밸브, RF 제너레이터1개 터보펌프, 로터리펌프로 구성되어있음. 식각중 물질을 색깔을 판독할수 있는 카메라도 장착되있음
적용가능 기판크기 : 10mm×10mm 조각 ~ 6인치 full wafer적용가능 기판 : GaN template, Sapphire wafer 식각 능력 : 1 wafer/batchPlasma power : ~ 5kW식각 깊이 - GaN template wafer (within 2 um) - Sapphire wafer (within 2 um)식각 속도 - GaN template wafer (500nm/min) - Sapphire wafer (70nm/min)식각 각(angle) : 45° ~ 90° 가능함.식각용 Mask : Photoresist, Metal(Cr, Ni etc)Helium cool down to wafer적용가능 Gas : Ar, Cl2, BCl3, HBr, N2, SF6,O2식각 깊이 - GaN template wafer (within 2 um) - Sapphire wafer (within 2 um)