oxford
Plasmalab 100MPS-C
10년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2003-01-30
799,735,640원
직접사용
고정형
시간별
333,223원
SiO2 및 SiN을 식각하기 위한 건식각 장비로 로드락챔버1개 메인챔버2개 각 챔버에 오일로터리펌프와 터보펌프
가 1개씩 장착되어 있고, 챔버에 RF 제너레이터 1개, 각 챔버에 카메라가 한개씩 장착되어있음
Dual Chamber RIE : Chamber 2 sets, Load-lock Chamber(중앙)
사용가능 기판 크기 : 4인치 wafer
절연막 에칭 가능 종류 : SiO2, SiNx
;사용가스 : SF6, O2, Ar, C4F8, CHF3, CF4, N2, He(Cooling gas)
0-1 torr 고분해능 Cap. manometer
Corrosion-resistant turbo molecular pump/rotary pump
Quartz electrode cover plate
300W max 13.56MHz rf generator
End point detector
자동 공정 압력 조절
공정 특성
- 식각율 : 40.0-190.0 nm/min
- 균일도 : 4 퍼센트 이내 (4 인치 Si 기판 기준)
- Posi PR 선택율 : 1.5-3.0:1
- SiO2 선택율 : ca. 2.5:1
- Si 선택율: ca. 5.0:1
전원 : 380V, 75A, 5선식