(주)넥소
4Inch
14년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2003-05-19
560,000,000원
고정형
기타
50,000원
본 장비는 PECVD와 RIE가 같이 있는 장비임
본 장비는 PECVD 공정을 이용하여 Silicon oxide 및 Nitride를 증착하고 ICP RIE 공정을 이용하여 metal 박막을 식각할 수 있는 장비임
1) Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition part for SiOx and Low Stress SixNy Deposition
- Process chamber for SiOx & SixNy deposition processing
- Pumping system for process chamber
- Temperature control system for substrate holder
- Mass flow control system for processing gases control
- Single Load lock chamber
- Automatic insertion load lock and process chamber
- Wafer handling: 4" wafer
- Mixed Frequency Configuration
- System controller
2) Reactive Ion Etching part for oxide/nitride etching
- Process chamber reactive ion etching system
- RIE process chamber for oixde/nitride etching processing
- Substrate cooling system for each chamber
- Mass flow control system for processing gases