ULVAC
MPS-400C
9년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2002-11-27
685,588,950원
기관의뢰
고정형
시간별
57,080원
적용가능 기판크기 : 조각 ~ 4인치
Metal deposition chamber
- 기본 진공도 : 1×10-8 torr
- 2"size : 2가지 metal target 장착가능
Oxide deposition chamber
- 기본 진공도 : 1×10-8 torr
- 8" size : 산화물 target 장착 기능
Film uniformity : ±5% 미만, 4“ wafer 기준
Load Lock Chamber System
- 기판 Pre-cleaning 가능 (Plasma 방법)
- 기본 진공도 : 1×10-6 torr
Power supply : RF 2kW, DC 200W
공정 가스 : Ar, O2
N2 gas purging system
-2인치 타겟을 사용하며 3개의 포트를 가지고 있어 co-sputter가 가능함
-8인치 타겟을 장착할 수 있는 챔버도 있고 산소와 아르곤을 동시에 넣을 수 있음
적용가능 기판크기 : 조각 ~ 4인치Metal deposition chamber - 기본 진공도 : 1×10-8 torr - 2"size : 2가지 metal target 장착가능Oxide deposition chamber - 기본 진공도 : 1×10-8 torr - 8" size : 산화물 target 장착 기능Film uniformity : ±5% 미만, 4“ wafer 기준Load Lock Chamber System - 기본 진공도 : 1×10-6 torrPower supply : RF 2kW, DC 200W공정 가스 : Ar, O2