karl suss
MA6
9년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2002-08-09
320,387,640원
직접사용
고정형
시간별
133,495원
소자 패턴 형성을 위한 Mask 정렬 및 노광을 하는 장치
ㅇ적용가능 기판크기 : 10mmx10mm 조각~4인치 Wafer ㅇ사용가능 마스크 크기 : 4인치×4인치 5인치×5인치 6인치×6인치 ㅇ노출광원 : Hg-Lamp 500W?자외선 (UV) 파장대 : 365~405㎚ ㅇ노광형태 : Proximity Soft/Hard contact Soft Vacuum contact Vacuum contact ㅇ노광간격 : 1~100㎛ 간격 조절 해상도 : 2.5㎛ ㅇ노광시간 : 0.1~999/초 0.1초 간격 ㅇ분 해 능 : - Proximity in 20㎛ gap : 3㎛ - Soft / Hard contact : 2㎛ - Vacuum contact : 0.6~0.8㎛ ㅇ정렬(Alignment) 방법 및 정확도 - 윗면정렬 (Top Side Alignment) : 0.5㎛ - 뒷면정렬?(Back side Alignment) : 1㎛ ㅇ윗면 정렬 배율 : 600배 이상 뒷면 정렬 배율 : 91배 310배 ㅇWedge Error Compensation 가능
. 10㎜×10㎜ 조각에서 4인치 wafer 기판까지 적용가능하다. 노출광원으로는 Hg-Lamp 500W, 자외선 파장대는 365~405㎚가 쓰인다. 노광 형태는 Proximity, Soft/Hard contact, Soft Vacuum contact, Vacuum contact이다. 정렬 방법 및 정확도는 윗면정렬시 0.5㎛ 이며 뒷면정렬시 1㎛이다. 윗면 정렬 배율은 600배 이상이며, 뒷면 정렬 배율은 91배 및 310배 이다. Wedge Error Compensation이 가능하다. 노광 간격은 1~100㎛이며, 간격 조절 해상도는 2.5㎛이다. 노광 시간은 0.1~999/초 이며 0.1초 간격이다. 분해능은 Proximity in 20㎛ gap : 3㎛이며 Soft/Hard contact : 2㎛이며, Vacuum contact : 0.6~0.8㎛ 이다.
■ 마스크 얼라이너장비Ⅰ용 수평정렬보상장치 업그레이드
- 수평정렬정밀도 : 1um 이하
- 규격 : 마스크와 웨이퍼를 정렬(마스크와 웨이퍼를 1um, 5um 간격으로 이격시킨 후)한 후 “하이데나인”(수평정렬정밀도 측정장치)을 이용하여 3지점 모두 수평정렬 정밀도의 평균이 1um 이하