셀트론
SHF-150L
11년
주장비
교육
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 열증착기
2003-11-24
290,733,000원
고정형
기타
360,000원
- 상압보다 낮은 압력에서 기체 상태의 화합물을 분해 후 화학적 반응에 의해 기판위에 박막이나 에피층을 형성하는 것
- 1 Tube : Si3N4박막 증착용(일반적인 절연막으로 사용)
- 2 Tube : Doped Poly Silicon 증착용(MOS의 Gate 전극으로 사용)
- 3 Tube : 저온 산화막 증착용(MOs의 Gate Oxide, 최종 보호층 등으로 사용)
- 1 Stack 3 Tube System
- Wafer Size : 4~6 inch(25매 Batch)
- Flat Zone : 300mm±1℃
- Heater material : kanthalA1
- Pressure Controller : MT2000
- 공정제어방식 : Program에 의한 순차제어방식
- 상압보다 낮은 압력에서 기체 상태의 화합물을 분해 후 화학적 반응에 의해 기판위에 박막이나 에피층을 형성하는 것
- 1 Tube : Si3N4박막 증착용(일반적인 절연막으로 사용)
- 2 Tube : Doped Poly Silicon 증착용(MOS의 Gate 전극으로 사용)
- 3 Tube : 저온 산화막 증착용(MOs의 Gate Oxide, 최종 보호층 등으로 사용)
- 1 Stack 3 Tube System
- Wafer Size : 4~6 inch(25매 Batch)
- Flat Zone : 300mm±1℃
- Heater material : kanthalA1
- Pressure Controller : MT2000
- 공정제어방식 : Program에 의한 순차제어방식