Takeuchi Electric
TA-CVD-V1-H
4년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 열유체장비 > 오븐
2011-12-23
390,928,612원
고정형
기타
원
기존의 SiC단결정 성장기술인 폐쇄계의 PVT법과는 달리 연속적으로 고품질의 SiC단결정을 성장시킬 수 있는 고온화학기상증착법(HTCVD)를 적용한 단결정 SiC 성장장치로서 PVT가 SiC 파우더를 원료를 쓰는 것과는 기상의 전구체를 SiC 소스로 사용
Features
High Temperature
HTCVD method requires high temperature like 2400℃ By RF induction heating, this system can achieve maximum temperature of 2400℃
Adjustable Hot Zone
This equipment can adjust both coil position and upper specimen position.
Compact Size
This equipment realized compact size of 1000w x 1650d x 2000h(mm). With heating unit, RF power supply, vacuum unit and system control unit, total footprint is 2800w x 2835d x 2600h(mm).
Application
Materials available to grow : SiC, AIN, GaN and others
Applicable for sublimation of SiC bulk growth With designing of crucible and insulator, rate of temperature rise is adjustable.