저주파 발생기는 Chamber 내의 plasma power 조절을 위한 Radio Frequency source 임 본 장비는 기존 태양전지 패시베이션 층 형성용으로 제작된 PECVD에 장착된 저주파 발생기로서 제작된 SiNx 박막 등의 밀도를 조절하여 화학적 식각등의 물리적 손상을 줄이수 있음 특히 박형 실리콘 기판에 패시베이션 또는 반사방지막을 형성시키기 위한 SiNx, SiOx 등을 증착할때 우수한 성능을 보임 저주파 발생기를 이용한 태양전지용 패시베이션 박막의 성장은 소수반송자 수명을 향상시킬수 있을것으로 개대 됨 또한 저주파 발생기로 부터 제작된 패시베이션 박막은 그 밀도를 미세하게 제어 할수 있으므로 굴절률과 화학적 식각률 등을 조절하여 원하는 박막을 형성 시킬수 있음