Riber

전기·전자장비 > 반응/혼합/분쇄장비 >

본 장치는 질소계-MBE시스템의 일부분품으로 질소 N공급원이다. 암모니아 NH3 가스를 1x10-10 Torr (대기압의 약 10^13 분의 1)의 초고진공에 정확한 량주입한다. 주입중에 고온가열이 가능하여 기판에 가스가 닿았을때 수월하게 N가스로 분해되게 한다.

주 MBE장비의 일부 이다.

현재 주장비인 MBE장비의 폐기로 인해[2019년 장비정지, 22년 zeus를 통한 이전완료], 장비에서 분리된 상태이며, 다음 과제가 나올때까지, 대기중

청색 혹은 백색 LED의 경우 이미 많은 정보가 공개되고 산업적으로 사용되고 있다. 그러나 본 장치가 사용될 질소계 MBE시스템은 상기의 LED 제작 보다는 GaN 양자선 및 양자점을 이용한 태양 전지의 성장에 응용될 예정이며, 고온동작이 가능한 GaN HEMT등의 제작 연구에 사용될 예정이다. 본 N계열 화합물은 IR (InN)에서 UV(AlN)까지의 모든 파장의 흡수가 가능하다. 기존의 MOCVD로 GaN, AlN등의 단파장 흡수소자의 성장에 문제가 없지만, InN의 경우 저온성장이 필요하다. 이에 MBE를 이용해 성장하는 계획을 세우고 있다. 또한 고온에서 동작하는 GaN HEMT의 경우 MBE 로 성장하는것이 MOCVD로 성장하는것에 비해 계면이 더욱 sharp하게 제작되므로, 소자의 동작 특성이 우월하다