장비 설계는 본 연구의 특징적인 요소를 다수 포함하고 있어 장비의 외부 공개 및 공동 활용을 통하여 본 과제의 핵심 내용을 추론 할 수 있다. 또한 본 장비는 초고순도 (>6N)의 SiC 합성을 위하여 특화된 장비로서 본 연구팀이 개발하는 물질인 SiC 이외의 물질 또한 본 연구팀에서 사용하고 있는 출발 물질과 다른 물질을 사용하게 되면 chamber에 불순물이 함유되게 되고 이러한 불순물들이 장비의 사용온도인 2000 ℃ 이상에서 본 연구의 목적인 SiC 합성에 불순물로 contamination 되어 연구 목적달성이 불가능해진다.