과제명:초고순도 SiC 분말 기술 개발 주관기관명:한국과학기술연구원 연구책임자:박상환 과제번호:2MR0100(50299) ======================================================================================================================= 본 장비는 독립적으로 운용이 가능한 장비가 아닌 진공 흑연로 내부에 장착되어 운용되어야만 사용할 수 있는 장비로서, 2000℃ 이상의 고온에서 사용되어지는 소모성 장치이다. 장비의 제작 목적인 초고순도 SiC 분말 합성을 위하여 설계(흡입가스 순환 설계, 배기 가스 배출 설계 등)가 해당과제에 적합하도록 자체 설계하여 제작된 장비 이다. 이러한 장비 설계는 본 연구의 특징적인 요소를 다수 포함하고 있어 장비의 외부 공개 및 공동 활용을 통하여 본 과제의 핵심 내용을 추론 할 수 있다. 또한 본 장비는 초고순도 (>6N)의 SiC 합성을 위하여 특화된 장비로서 본 연구팀이 개발하는 물질인 SiC 이외의 물질 또한 본 연구팀에서 사용하고 있는 출발 물질과 다른 물질을 사용하게 되면 chamber에 불순물이 함유되게 되고 이러한 불순물들이 본 장비의 재질인 graphite를 오염시키고 사용온도인 2000 ℃ 이상에서 본 연구의 목적인 SiC 합성에 불순물로 contamination 되어 연구 목적달성이 불가능해진다.&N&T&I&S&null&N&T&I&S&null