대기하이텍
DC type
부대장비(부가장치) (주장비:)
생산
기타 > >
2011-03-31
41,250,000원
고정형
일별
원
Sputtering system에서 타겟 물질을 sputtering 하여 증착 시 sputtering 원자들은 대부분 중성의 성질을 가지고 기판에 증착됨. 이때 증착된 물질들은 열처리를 하지 않는 한 일반적으로 비정질을 나타냄. - 보통 결정질의 구조를 가지기 위해서는 열처리를 하는 것이 보통인데 plastic 기판 같은 열에 약한 기판을 사용할시 열처리에 제약이 따름. 증착중 이온건을 사용하면 증착 물질이 sputtering 되어서 기판으로 이동시 일정한 극성을 가진 물질로 변화함.보통 스퍼터링 원자들은 같은 극성을 가진 물질들은 서로 정렬을 하려는 성질을 갖는데 이러한 원리를 이용하여 박막의 결정성을 증가 시키는 장치임. - 또한 증착후 Ion beam을 조사시키면 Ion들이 박막구성 물질의 밀도를 증가시키므로 증가된 결정성을 기대할 수 있음.- 본 Ion beam operation system은 상기의 목적을 달성하기 위해 사용하는 장치이며, 박막 응력 완화 및 결정성 증가 등의 이유로 스퍼터링 장비를 Upgrade 하였음.
Sputtering system에서 타겟 물질을 sputtering 하여 증착 시 sputtering 원자들은 대부분 중성의 성질을 가지고 기판에 증착됨. 이때 증착된 물질들은 열처리를 하지 않는 한 일반적으로 비정질을 나타냄. - 보통 결정질의 구조를 가지기 위해서는 열처리를 하는 것이 보통인데 plastic 기판 같은 열에 약한 기판을 사용할시 열처리에 제약이 따름. 증착중 이온건을 사용하면 증착 물질이 sputtering 되어서 기판으로 이동시 일정한 극성을 가진 물질로 변화함.보통 스퍼터링 원자들은 같은 극성을 가진 물질들은 서로 정렬을 하려는 성질을 갖는데 이러한 원리를 이용하여 박막의 결정성을 증가 시키는 장치임. - 또한 증착후 Ion beam을 조사시키면 Ion들이 박막구성 물질의 밀도를 증가시키므로 증가된 결정성을 기대할 수 있음.- 본 Ion beam operation system은 상기의 목적을 달성하기 위해 사용하는 장치이며, 박막 응력 완화 및 결정성 증가 등의 이유로 스퍼터링 장비를 Upgrade 하였음.