입사광에 의해 생성된 전자 정공쌍을 효율적으로 수집하기 위해서 태양전지는 pin구조를 갖게 되는데 광 흡수층으로 사용되는 무첨가 실리콘 박막(intrinsic a-Si:H)과 도우핑 층 (p, n) 증착시 도우핑 물질의 상호 오염을 방지하고 단위박막 계면 특성을 향상시키기 위해 클러스터 형태의 다 반응실 장치를 이용한다. 중앙의 시료 이송실(transfer chamber)을 중심으로 7개의 반응실(3 PECVD, 2 VHFCVD, HWCVD, RTA)이 원주상에 배치되어 있으며, 각 반응실간 기판이송은 이송실의 로봇을 이용한다. 13.56MHz PECVD를 이용하여 a-Si:H 및 a-SiC:H, nc-Si:H 층, 60MHz VHFCVD를 이용하여 a-Si:H, a-SiGe:H 층, HWCVD를 이용하여 a-Si:H 층을 증착하고 RTA를 이용하여 열처리를 하는데 사용한다.