오츠카전자주식회사
FE-3000
5년
주장비
계측
기타 > >
2010-06-10
81,844,837원
고정형
원
이 장비는 반도체, 태양전지, FPD, 광학필름등의 다층박막의 두께를 UV와VIS영역의 미세 반사 스팩트럼을 이용하여 비접촉, 비파괴방식으로 측정 해석한다.샘플형태: reflect asmple최대시료크기: 200mm*200mm*7mm(thickness)측정가능 필름층의 수: Up to 5 layers on Substrate max필름두께정밀도: NTIS 국제 표준 샘플에 대해 필름두께 보장파장범위:230nm-760nm측정시간: 0.1sec ~ 10 sec for 1 measurement(depends on setting)형태: Electro-cooling CCD area image sensor 포토다이오드배열: 1024ch(use 512)해상도: 1.3nm/pixel 감지기크기: 2.9nm*24.5mm(Size of element :24um*24um)와트: Deuterium 25W for UV, Halogen 20W for VIS발광파장: 230nm - 760(up to)nm대물렌즈: Reflection type 20X (Low aberration) Refraction type 5X감시광원: Halogen 100W모니터 CCD: Color CCD camera감시모니터: 6 inch LCD monitor구동축: 3axes(X,Y,Z) : X axis 200mm/ Y axis 200mm/ Z axis -7 mm(include samplethickness 7 m)시료크기: 200mm*200mm*7 mm
이 장비는 반도체, 태양전지, FPD, 광학필름등의 다층박막의 두께를 UV와VIS영역의 미세 반사 스팩트럼을 이용하여 비접촉, 비파괴방식으로 측정 해석한다.샘플형태: reflect asmple최대시료크기: 200mm*200mm*7mm(thickness)측정가능 필름층의 수: Up to 5 layers on Substrate max필름두께정밀도: NTIS 국제 표준 샘플에 대해 필름두께 보장파장범위:230nm-760nm측정시간: 0.1sec ~ 10 sec for 1 measurement(depends on setting)형태: Electro-cooling CCD area image sensor 포토다이오드배열: 1024ch(use 512)해상도: 1.3nm/pixel 감지기크기: 2.9nm*24.5mm(Size of element :24um*24um)와트: Deuterium 25W for UV, Halogen 20W for VIS발광파장: 230nm - 760(up to)nm대물렌즈: Reflection type 20X (Low aberration) Refraction type 5X감시광원: Halogen 100W모니터 CCD: Color CCD camera감시모니터: 6 inch LCD monitor구동축: 3axes(X,Y,Z) : X axis 200mm/ Y axis 200mm/ Z axis -7 mm(include samplethickness 7 m)시료크기: 200mm*200mm*7 mm