브이티에스
Hihg power Bean electron Bean generation system
4년
주장비
시험
광학·전자 영상장비 > 광파발생/측정장비 > 달리 분류되지 않는 광파발생/측정장비
2010-05-27
133,000,000원
고정형
원
용도 고진공하에서 용융점이 높은 금속 및 세라믹류를 용융/기화 시키기 위한 고 에너지 전자 빔을 발생/제어 하기위한 장비
고속으로 발생하는 전자 빔의 경로조절이 가능하여 실험의 특성에 맞는 복수의 물질을 동시에 가열/용융 가능
전자 빔의 경로를 프로그래밍하여 특정 recipe 확보가능
전자빔 방출용량: 최대 100kw (30kV, 3.4A)
전자빔 집속 초점거리: 100~1,000mm (focus 5mm 이내)
-전자빔 발생장치 형태 : 시료 상부에서 입사시킬수 있는 형태(linear type)
-냉각방식 : 수냉식
-전자빔 집속 초점거리(출구로부터) : 100~1,000mm(focus 5mm이내)
-전자빔 방출타입 : Electron bombardment cathode self accelerating type
-cathode 수명 : 100,000시간 이상
-cathode 형상: 금속 양이온 스퍼터링에 의한 cathode의 형상이 변화하여서는 안됨
-전자빔 편향 각도 :X, Y 각각 최대 ±45도
-전자빔 주사기구 : X-Y, Scanning frequency는 각각 0~1kHz의 컴퓨터 패턴 구성 스캐닝 모드