성진세미텍
SJF-1000
9년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 열유체장비 > 오븐
2010-08-11
58,923,810원
고정형
시간별
50,000원
저·고온의 열처리 공정 및 가스를 주입하여 확산된 가스가 웨이퍼 표면과 반응하여 산화막을 형성하기 위한 장비이다. 4인치, 6인치 8인치까지 공정이 가능하며, 습식산화 건식산화 두가지가 가능하다. 습식산화의 경우 증류수에서 나온 수증기를 이용하여 wafer 표면을 산화하고, 건식산화의 경우 산소가스만을 사용하여 산화막을 형성한다. 일반적으로 실리콘옥사이드 산화막 형성을 주로한다.
1. 히팅시스템 (Heating System)
- 히터 컨트롤(Heater control) : 3 zone
- 히팅부 (Heater Zone) : 3 Zone
- 공정 웨이퍼(Process Wafers): 50매(Dummy 10매 미포함)
2. 컨트롤 제어장치
- 온도 컨트롤 : 3식(UP550 이상, PID 제어)
- Gas MFC control : 3MFCs(PC Control) 인터치 프로그램
3. Gas 공급장치
- Gas Line : 316L S/S (Electrode Polished)
- H2O Bubble system Ass'y : 1 system 용량 5L
4. Quartz Parts
- 공정 튜브 : 1 EA
- 공정보트(Process Boat) : 4",6",8" 각 1 EA