PR 두께가 1um 이하일때 웨이퍼당 10000원이며, 이상일 경우에는 + 2000/분당- 2.45GHz에서 구동되는 마이크로웨이브 플라즈마 생성
- 150mm (6인치), 200mm (8인치) 크기의 웨이퍼까지 공정 가능
- 공정 : 마이크로웨이브 플라즈마는 휘발성분자에 의해 제거될 물질과 반응하는 화학적 래디컬을 생성하며, chamber 안에서 일정한 진공가스 흐름으로 진행되며, 그 부산물은 진공펌프로 통해서 chamber의 후방을 통해서 배기되어야 함
1. high-dose ion implantation 및 RIE나 sputter etching 같은 건식식각 공정 이후의 포토레지스트 ashing (strippnig)

2. lift off metallization 공정 전 descum

3. 습식 또는 건식 플라즈마 에칭 전 포토레지스트의 습식현상 후 포토리소그래피 공정의 일부로서의 표면 클리닝

4. 유기 passivation층과 레지스트 제거

5. SU-8 및 기타 에폭시 타입 레지스트 제거

6. MEMS 공정에서의 희생층 제거&N&T&I&S&1. Vacuum
1) Process pressure : 0.2 ~ 2 mbar
2) Gas supply : 2 ~ 4 separate gas channels
3) Lowest possible pressure : 0.03 mbar
4) evacuation time to 0.5 mbar : 0.5min