특징 - 빛의 편광특성을 이용하여 시료의 두께 및 광학상수를 비파괴 방식으로 측정하는 시스템- 기판의 손산 및 최소한의 breakage rate를 보장함.- 미세하고 일정한 레이저 grooving이 가능함.- CCD 카메라를 이용한auto align이 가능하고 inline 방식이 가능함. 구성및성능 - Two wavelengths (입실론 = 633 nm, 입실론 = 980 nm) for measuring surface and bulk properties, AG3 - 장비사이즈 : 1000mm(가로) * 1873mm(세로) * 1940mm(높이)- wafer 사이즈 156mm * 156mm * 0.18mm(+ -30um)- 532nm green laser - beam diameter(1/e)<06mm- pulse width : <30ns@40KHz- averabe power : 18W 활용분야 - Reflection and Transmission Ellips- 태양전지 외곽분리를 통해 전/후면으로 형성된 pn 접합을 분리하여 병렬저항을 증가시키고 전류밀도 향상을 목적으로 한다.- 캐드로 제작된 도면을 Laser를 이용하여 실리콘 patterning이 가능하다.