"Ionic Coupled Plasma (ICP)a. Reactor - Inductively Coupled Plasma (ICP)b. Generator - Source (G1) : 13.56MHz, 300W - Bias (G2) : 13.56MHz, 300W c. Sample loading - Up to 2” round sample d. Pumping package - Turbo pump + Rotary pump 2개의 RF Generator로 구성된 장비로 상층부의 RF Generator와 active gas로 인해 형성되는 Plasma를 chamber 하층부의 RF Generator로 인해 sample에 plasma를 vertical하게 etching시키는 장비로 substrate 에 pattern 제작 및 표면 세척 시에 사용된다"