타이닉스
TE3100
4년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 열유체장비 > 달리 분류되지 않는 열유체장비
2009-05-18
510,000,000원
기관의뢰 직접사용
고정형
시간별
165,600원
① 현재 자색(~405nm), 청색(460nm), 녹색 (520nm) 고휘도 LED는 휘도를 높이기 위해서 2인치 사파이어
기판상의 PSS(patterned sapphire substrate) 공정 제조기술이 확립되어 가고 있음.
② 하지만, 지속된 LED chip의 수요증가 및 단가하락에 따른 양산성 확보와 고광도 chip 구현을 위해서 3인치
이상의 사파이어 기판 상에 GaN를 성장시키고 이에 따른 PSS 공정기술도 개발되어야 함. 현재 전 세계 LED
chip 시장을 주도해 나가고 있는 일본의 Nichia사는 이미 3인치 사파이어 기판 상에 PSS 공정을 구현하여
LED chip을 양산하고 있으며 세계 최고수준의 발광효율을 구현한 LED chip 개발에 성공하였음.
③ 기존의 LED에 비해 PSS LED chip은 약 50%이상의 광 추출효율 증가를 보이며, 특히 lens형 PSS의 경우
stripe형 PSS의 경우보다 30%이상의 광 추출효율 향상을 보임. 이에 BLU(Backlight Unit), 자동차, 조명
등에 응용하기위해서 lens형 PSS 기술은 고광도 LED chip 제조 기술의 핵심이 되고 있음.
④ 국내 LED 칩 제조 회사들의 대부분은 현재 2인치 기판 7장을 loading하여 공정을 할 수 있는 장비를
이용하여 생산 및 공정을 할 수 있는 기술을 보유하고 있으나 4인치 이상의 대형화 및 대용량 장비를 이용한
PSS 공정 개발은 아직 미흡한 실정임.
⑤ LED 장비 업체 또한 대형화 장비를 생산하고 있으나 아직까지 공정 기술(Uniformity, Etch rate, PR
Selectivity등)에 대하여 만족할만한 수준에 이르지 못한 실정임.
⑥ 이로 인해, 대면적화 장비를 구현하여 PSS를 생산할 경우, 기존의 2.5배 이상을 생산 할 수 있어 시간 및
부대비용을 절감할 수 있는 장비임
(과제명 : 반도체광원시험생산기술지원사업
과제책임자 : 김왕기
과제수행기관 : 한국광기술원)
① For GaN etching - Etch Rate : ≥ 3000 Å/min @ Room Temperature (No PR damage and burn-in) - Etch Uniformity at 1.0um etching depth (Max-Min/2*avg, 3mm edge exclusion) < ±5 % in 2" wafer < ±5 % wafer to wafer in batch < ±5 % batch to batch * any device damage free (PR damage-free) - smooth surface after GaN etching (rms value of etched GaN surface : less than 5nm) - no hill rock after GaN etching ( at Etch Rate : ≥ 3000 Å/min)