특징

초고진공하에서 Ar 기체를 주입하고 DC 전압을 인가하면 플라즈마가 형성되는데, 이온화된 Ar 원자
가 가속되어 고순도의 Target과 충돌하여 Target 형성 원자가 분리되어 Wafer에 증착됨으로서 박막
이 증착됨


구성및성능

Base Pressure ＜ 8E-9 Torr, Leak rate ＜ 2.5E3 nTorr/min, Al Depo Rate ＞ 10000Å/min, Ti
Depo Rate ＞ 1000 Å/min, TiN Depo Rate ＞ 1500 Å/min, Thickness Uniformity (3sigma) ＜ 5%


활용분야

반도체 제조공정 중 배선용 Al 박막, Ti-silicide를 위한 Ti 박막, Barrier layer용 TiN 박막 등의
금속박막 증착에 사용