특징
고에너지의 광원을 Wafer에 복사함으로서 Wafer를 열처리함. Wafer의 온도를 급속하게 증가시키고, 강하시켜 Thermal Budget을 최소화 할 수 있음.

구성및성능
A. 장비성능 1) Wafer Size : 8 inch wafer 2) Temp. Range : 450 ~ 1300℃ 3) Temp. Uniformity and Repeatability : ＜ ± 3℃ 4) Ramp Up/down Rate : 150 / -100 ℃/sec 5) Particle : ＜10ea＞＠ 0.2um, 3mm edge exclusion 6) Gas Circuit: 6-channel Process Gas(N2, O2, NH3, Ar,…) B. 공정성능 1) Rs Uniformity(1sigma) ＜5%

활용분야
Ni, Co, Ti Sicidation Adhesion Metal Thin Film Thermal Anneal