특징

외부 열원에 의해 고온으로 유지되는 Tube 내에 Wafer를 Loading하고, Tube 내에 안전하게 순수한 H2O를 인가해 열산화막성장 공정을 진행하는 장비.


구성및성능

Temp. Control Range : 600-1150, Temp. Ramp Up(Down) Rate : >10.0 (3.0) ℃/min, Oxide Thickness Uniformity(1sigma) : < 2%, Temp. Uniformity :±0.5℃, 8inch 장비. External Torch, H2 Gas Detector 장착


활용분야

반도체 제조공정 중 Field Oxidation Initial Oxidation 등의 비교적 두꺼운 고품질의 열산화막 성 장공정에 사용