특징

- 대기압에서 열원에 의해 Source 분해 및 반응하여 박막을 증착시키는 장치. - 반응기체의 전달율에 의해 증착속도가 결정되므로 Wafer를 수평으로 Loading - 장점: 낮은 공정온도(400~600℃), 높은 증착속도 - 단점: Step Coverage가 나쁘고, Particle 발생이 심함


구성및성능

A. 장비성능 1) Wafer Size : 8 inch wafer
2) Temp. Control Accuracy ± 5℃ @ Set Point
3) Belt Speed Control ＜ ± 2% @ Set Point

B. 공정성능 1) PSG Thickness Uniformity (Within a Wafer / Wafer to Wafer / Lot to Lot) : 3% / 2% / 2%
2) Phosphorus Conc. Uniformity (Within a Wafer / Wafer to Wafer / Lot to Lot) : 3% / 2% / 2%

활용분야
반도체의 STI Filling막, 층간절연막, 보호막 등으로 사용되는 BPSG, PSG 증착