특징
고에너지의 광원을 Wafer에 복사함으로서 Wafer를 열처리함. Wafer의 온도를 급속하게 증가시키고, 강하시켜 Thermal Budget을 최소화 할 수 있음.

구성및성능
A 장비성능 1) Wafer Size : 8 inch wafer 2) Temp. Range : 450 ~ 1300℃ 3) Temp. Uniformity and Repeatability : ＜ ± 3 4) Ramp Up/down Rate : 150 / -100/sec 5) Particle : ＜ 10ea ＞＠0.2um, 3mm edge exclusion 6) Gas Circuit: 6-channel Process Gas(N2, O2, NH3, Ar,…) B 공정성능 1) RTO Thickness: 100 ± 2.5Å(1sigma) 1130℃, 20sec

활용분야
Implanted Dopant Activation and Anneal High-k Dielectric Anneal by N2O High-Temp Rapid Thermal Oxidation