특징

반도체제조공정에서 불순물을 Doping시키는 방법 중의 하나로 주입하고자하는 불순물을 이온화시켜 전기장으로 가속하여 기판 속에 주입하는 공정


구성및성능

진공도 : < 4.0E-6, Wafer Tilt : ±7 degree, Dose Range : 5E11~5E16 ions/cm2, Energy Range :2~200 KeV, Available Dopant Species : 11B+, 49BF2+, 75As+, 31P+, 121Sb+


활용분야

반도체소자 제조공정 중 고농도의 불순물 Doping이 필요한 공정에 적용 ㆍSource/Drain의 Doping ㆍHalo, Lightly Doped Drain(LDD)의 Doping ㆍPoly-Si Gate의 Doping ㆍPoly-Si Resistor의 Doping ㆍPoly to Poly Capacitor의 전극 Poly-Si Doping