반도체 및 나노 디바이스 상태에서의 전기적인 특성을 측정하여 물성을 분석하는 초 정밀급 반도체용 계측장비로서 반도체의 동작 전압측정 동작 전류측정 누설전류측정 브레이크 다운 전압측정 전도도 및 저항측정 디바이스 수명예측 Hot Carrier Test 등 다양한 파라메터를 측정 할 수 있다.
이 물품을 이용하여 Wafer 또는 완성된 디바이스 상태의 반도체에 5？V-200V범위 전압공급과 1.5fA – 100mA범위의 전류공급이 가능하며 1uV(10-6V) 정밀도의 전압측정과 100aA(10-18A)정밀도의 저 전류 측정이 가능하다.