소로나
SRN-110
12년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2009-04-27
554,304,000원
고정형
기타
70,000원
⦁4inch wafer 용 process chamber ⦁6inch, 8inch wafer 용 process chamber - target : Ti, Al, Cr, W, Cu - base pressure : low 10E-8 torr - DC plasma 전용
Specification Base pressure 8E-8 Torr PM1 Wafer size up to 8” DC plasma Target Ti, Cu, Al, W, Cr,Sn PM2 Wafer size up to 4” DC & RF plasma Target Co, Ni, ZnO, Zn, Sn Heater temp. Max. 700℃