엔씨디

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제우스

- Substrate material: Si Wafer
- Substrate size: 4 inch
- Substrate thickness: 0.5t~0.8t
- Etching films: Metal and Oxide material
- Substrate heater Temperature: Max 700 ℃
- Pressure: 5x10-7 torr
- ICP Source: Planar type(High-density plasma source)
- RF power: 1kW
- Etching uniformity: ≤5%
- Gas: Ar, N2, O2
- Etching gas: SF6, Cl2

- 다양한 전자세라믹스 및 반도체 소자등의 리소그래피를 위한 건식 에칭이 가능하며 SiC GaN AIN 등 화합물 반도체 기판의 CMP 표면 처리도 가능한 장비로 연구개발 및 기업지원을 위한 장비이다.