광전자정밀
UnivLED
5년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 열유체장비 > 펌프
2008-01-28
120,868,000원
기관의뢰
고정형
시간별
33,900원
과제명 : 반도체광원 시험생산 기술지원사업
과제책임자 : 김왕기 2008
ㆍLED epi wafer의 Electroluminescence(전계발광) 특성을측정
ㆍGlass를 이용하여 wafer 상/하 발광을 측정
ㆍ상부와 하부에 측정용 센서가 있음
ㆍ노브를 이용하여 wafer를 xyz방향으로 쉽게 이동 및 접촉
ㆍ작업의 편의성 및 생산성 최대한 고려
ㆍ광헤드는 2인치 적분구를 사용하여 정확한 수광능력
ㆍ광파워미터와 분광기를 동시에 사용하여 측정 정밀도 향상
ㆍ사용자의 편의성이 최대한 고려된 소프트웨어 환경 제공
ㆍ광특성 측정 항목
- 분광특성: 최고파장, 주파장, 중간파장, 중심파장, 반측폭, 색좌표, 색순도, 색온도, 연색지수 등
- 광량특성: 광도, 복사도 등 ㆍ전기특성 측정 항목- 순방향 전류, 순방향 전압, 역방향 전류, 역방향 전압 등
ㆍ스윕 측정 항목
- 전류-전압, 전압-전류, 전류-광특성
ㆍ고감도, 고분해능 분광기를 이용한 분광특성 측정
ㆍ적분구형 입력광학계를 이용하고 분광기를 이용하여 PD를실시간 색보정함으로 정확하고 안정적인 광파워 측정
ㆍ고속, 고정밀 소스미터를 이용한 전기특성 측정
ㆍ전류인가 및 측정은 1A까지 가능
ㆍ전류-전압, 전압-전류, 전류-광 Sweep 측정
ㆍ다양한 분광영역(UV, UV-VIS, VIS, VIS-IR) 선택
ㆍKeithley2400 Sourcemeter를 이용한 다양한 전원(전압,전류) 인가 및 측정범위 선택 가능
ㆍ사용자 요구사항에 맞는 특별한 기능 추가 가능(선택사항)
ㆍ측정 결과를 직관적으로 인식- 측정 스펙트럼, 색좌표, 누적 스펙트럼,
ㆍ 측정결과 리스트 등을 표시, 측정항목별 누적 그래프 표시, 맵핑 표시
ㆍ다양한 조건 설정 - 광 및 전기 특성 항목을 사용자가 선택, 스윕 측정 설정
ㆍ등급 설정 기능
ㆍ상부/하부 센서 측정값 개별 저장 및 Total 값 저장
ㆍ측정데이터는 각 측정 광특성/전기특성의 변화를 직관적으로 알 수 있도록 저장(CSV파일)
ㆍ측정조건의 관리는 Project 파일로 저장 및 불러오기
Voltage Range ±1㎶ ~ ±205V
Current Range ±100pA to ±1.0A
Probe Station 150mm Glass Plate
X-Y Movement : 50 X 50mm Travel
PD Temperature 20℃ to 30℃ 중 선택, 고정
-Spectrometer
350 to 830nm, 2048 CCD array type
Optical Head 50mm Integrating Sphere
Photodiode 380 to 950nm, 10㎟ Area
◦측정 범위 : 300~1000 nm, 10~380 K ◦측정 가능 샘플 : Lamp, TO, wafer 등 ◦장비 구성 - Integrating sphere - Probe station - Low temperature circulation system - Power supply - Rotary pump