◦적용가능 기판크기 : 2 ～ 3인치 Wafer
◦적용가능 기판 : Sapphire to Sapphire, Sapphire to Silicon, Silicon to Glass, Glass to Glass, GaAs to Silicon
◦적용가능 bonding metal : Au-Au, Au-Sn 등
◦Bonding align 능력 : 5~10um 오차
◦Bonding align 온도 : 상온
◦Bonding align 시간 : ～ 1시간
◦동작모드 : Manual 모드 가능