엔엔디
NANOSIS 830
10년
주장비
시험
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 달리 분류되지 않는 반도체장비
2008-05-29
297,000,000원
nano imprint
경화방식 : 압착 열경화 방식
- 웨이퍼 크기 : 2인치~6인치
- 압력 단위 : kgf
- 최대가열온도 : 200℃
웨이퍼에 감광제를 도포한후 나노임프린트라는 장비에 고온과 압력을 몰드에 가하면 웨이퍼 표면에 몰드의 패턴이
나타남. 이를 이용하여 소자 패턴형성
직접사용
고정형
시간별
123,750원
가압방식으로 웨이퍼 표면에 패턴을 형성하는 장비로 고온부와 고압부가 있어 패턴의 몰딩을 장비에 장착후
웨이퍼에 감광제를 도포후 고온고압으로 웨이퍼 표면을 누름. 이때 웨이퍼 표면에 패턴을 형됨.
1. Features
1. Case
① Size (W*L*H) = 1230 * 910 * 1360 mm ,
② Weight = 500 kg
2. General
① Temperature range : up to 250℃
② Heating rate : 70C/min
③ Pressure range : 1 to 50 bar
④ Substrate handling : up to 8 inch
⑤ Imprinting speed : 7min/wafer (process dependant)
3. UV Imprint (Spot UV source)
① Lamp : 200 W mercury-Xenon lamp
② Lamp life time : over 3000 hr
③ UV intensity : 4000 mW/cm2
4. Vacuum Pump (Mechanical pump)
① Ultimate vacuum : 6.7*10-2 Pa
② Pumping speed : 60 L/min
5. Others
① Heater : 2000 W, 5 kg
② System control : PLC controlled, automatic
③ Imprinting procedure
- UV
- Thermoplastic
- Thermoset