특징- Direct write laser lithography system for photomask making, direct write applications, gray-scale exposures and flat materials coated with a photosensitive layer - Minimum feature size of 1.0 ㎛, substrate size of up to 200×200 ㎜(8×8 inches) and over 1.0M dpi using 20 ㎚ 활용분야- 웨이퍼에 mask 없이 패턴을 직접 기재 - 1.0 ㎛ 이상의 미세패턴을 갖는 포토마스크 제작 - Gray scale 노출기능 이용을 통한 3차원 구조의 Optics 제작