특징
Chamber 내부에 Plasma를 형성시켜 기체상의 성분들이 기판 표면에서 확학적인 반응적으로 반응하
여 안정한 고체 박막을 형성하는 박막 증착법.

구성및성능
Dep rate : ＞000Å/min , Thickness Uniformity : ＜ 3.0 , Low stress, Low Temp dep

활용분야
Si etching 보호막 및 절연막으로 사용 가능한 SiO2막과 SiN막을 형성 시킴.

- Deposition of dielectric films such as SiO2 , SiON, and Si3N4 below 100℃ for temperature sensitive substrates such as plastic.
- Deposition of highly dense dielectric films at high temperature up to 400℃
- Liftoff process for SiO2 and Si3N4 with photoresist
- NH3 free Si3N4 deposition process for low hydrogen content
- Plasma damage free dielectric film deposition for plasma-damage sensitive substrates such as GaAs.