HIT
WS-820L
10년
주장비
생산
기계가공·시험장비 > 반도체장비 > 식각장비
2008-02-21
136,840,000원
고정형
건별
100,000원
특징
과산화수소수(H2O2)를 Base로 한 용액 내에서 Wafer와 부착된 오염원들을 모두 음전위를 형 성하게 하여 Wafer로부터 오염원들을 제거한다.
활용분야
Wafer 표면의 유기물, 금속원자, 자연산화막 제거
구성및성능
구성 : SPM Bath, APM Bath, DHF Bath, QDR Bath 성능: DHF 식각 Uniformity 5%(1sigma) 이하.
활용분야
Wafer 표면의 유기물, 금속원자, 자연산화막 제거특징
과산화수소수(H2O2)를 Base로 한 용액 내에서 Wafer와 부착된 오염원들을 모두 음전위를 형 성하게 하여 Wafer로부터 오염원들을 제거한다.
구성및성능
구성 : SPM Bath, APM Bath, DHF Bath, QDR Bath 성능: DHF 식각 Uniformity 5%(1sigma) 이하.