용도
1 - 실리콘 웨이퍼 산화막(Oxidation) 형성
2 - 실리콘 웨이퍼 및 각종 시료 어닐링 등 열처리

사양
1 - Sample : 8 Inch Wafer(50 wafers/batch)
2 - Uniform Temperature Range : 800 ~ 1100 (tube 1), 0 ~ 500 (tube 2)
3 - Maximum Temperature : 1150 (tube 1, 2)
4 - Heating Flat Zone : 300mm
5 - Heater configuration : 3-zone Controlled
6 - Ramp-up Rate : 12
7 - Ramp-down Rate : 2.5
8 - Tempertature Stability : 0.5

특징
Mini Furnace가 갖추어 있어 작은 Sample의 열처리를 효율적으로 진행할 수 있어
연구개발용으로 활용이 용이한 장점이 있으며, Solar Cell의 Annealing 진행을 위하여
Bottle Type을 별도로 보유하여 대응할 수 있음.