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- 유도결합형 플라즈마 화학기상 증착장치
- i-Tube No. 0707-Z-0094
- NTIS No NFEC-2007-11-047427
- 설치기관 한국생산기술연구원
- 주소 광주광역시 북구 첨단과기로208번길 6,(오룡동)
- 담당자 김영백 (T. 062-600-6520 )
- 매뉴얼
-
온라인* 본 장비는 온라인 예약이 불가하오니 장비사용 예약과 관련해서는
예약가능여부
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장비정보
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제작사
시스엔텍
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모델 명
HiDep
내용연수5년
-
구분
주장비
용도생산
-
표준 분류
기타 > >
-
취득일
2007-07-24
취득금액450,412,429원
- 인증정보
- 기능
- 장비 상세설명
이용안내
-
사용형태설치형태
고정형
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사용료 형태장비 사용료
93,836원
장비설명
- From piece to 8 inch wafer and 8 inch × 8 inch substrate processing - High Density Plasma Source such as ICP plus bias power - High deposition rate : 2000 Å for SiO2, SixNx - Uniformity : < 5 % - Extremely quality dielectric films at over 300 ℃ temperature
장비 구성 및 성능
○ 유도전압 플라즈마를 이용하여 저온에서 보호막이나 절연막을 성장시키는 장비 - 이온밀도를 높이고 이온입자들에 방향성 향상
서울특별시 강남구 테헤란로 305 한국기술센터 2~7, 14층, 16~17층, 21층
TEL : 02-6009-3000 / i-Tube 대표문의: 1811-9126
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