에이피텍(주)
Tecnai G2 F30 S-Twin
5년
주장비
기타
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2008-07-18
1,750,084,562원
고정형
364,601원
1. Electron source: - Schottky Field emitter with high maximum beam current (100 nA) - High probe current (0.6 nA in a 1 nm spot) - Small energy spread (0.8 eV ~ 300 kV or less) - HT stability: 1.0 ppm - Spot drift: 1.0 nm/minute - Optimum operation at 300 kV and 200 kV (Easy mode change via just click button)2. Imaging - Point resolution: 0.20 nm or better - Information limit: 0.14 nm or better3. STEM - Fully embedded High Angle Annular Dark Field (HAADF) detector - HR STEM resolution: 0.17 nm or better - No delay is needed for lens stabilization when switching between HRTEM and HRSTEM4. Micro-analysis - Fully embedded STEM, EDS and EELS spectrum imaging available - Simultaneous acquirement of STEM, EDS, CCD, GIF should be possible - Small probes: 0.3 nm or better - Max convergence angle: 50 mrad or better.5. Specimen stage - Fully computer-controlled eucentric side-entry, high stability compustage - Max. eucentric tilt: ± 40도 or better - Drift: 0.5 nm/minute 6. Operation / automation - Operating system: Industry standard Windows 2000 or XP. - Optionally Remote Operation available
○ 짧은 파장의 전자선으로 시편을 투과 시료의 내부구조 및 결함 등을 관찰 - 투과전자빔을 이용한 나노두께의 박막이나 물질에 대한 구조적, 화학적, 물리적 특성 분석 - STEM 기능이용, 원자번호에 따른 질량 차(Z-contrast) 이용함으로서 물질 간 계면분석 및 화상처리를 통한 원자배열 영상화 - 수렴성빔전자회절법(CBED : Convergent Beam Electron Diffraction)을 이용하여 나노영역에서 재료의 결정구조를 정량적으로 분석