본 장비의 원리는 sputtering 가스를 진공분위기로 이루어진 chamber 내로 주입하여 성막하고 하는 물질과 충돌시켜 플라즈마를 생성시킨 후 이를 기판에 증착시키는 방법이다. 8인치 기판에 균일한 박막의 성장이 가능하며, 생성된 플라즈마가 매우 균일하여 대면적 기판에 대해 균일한 박막의 제조가 가능하다. 또한 증착 전처리 공정이 가능한 Bias power가 부착되어 있어 진공상태에서 기판 표면의 식각 및 세척 공정이 가능하며, 이러한 공정과정을 통해 고품질의 박막 증착이 가능하다.