특징
반도체 공정에서 리소그라피 공정 후 원하는 패턴형성을 위한 식각

구성및성능
▶Silicon etch rate ≥ 3000Å/min ▶Silicon etch uniformity (3sigma) ＜ 3% ▶Mask selectivity ≥ 4 @ (Recess Gate Etch 기준), poly : oxide = 4:1 ▶Vertical profile (89°~ 90°) for gate poly etch ▶ Minimum etch loading (CD Bias) ≤ 3 nm

활용분야
▶40nm 이하의 식각 ▶Poly-Si, Oxide, Nitride 등의 다양한 물질의 식각