1.구성
Dual-beam FIB (FEI)
EBSD, EDS (TSL)
Nano-indenter (Hysitron)

2.특징
SEM
- Resolution : 1.4nm (at 1kV), 0.9nm(at 15kV)
- Current : 0.7pA to 22nA
- Energy Range : 30kV down to 350V
FIB
- Resolution : 5nm(at 30kV)
- Current : 1.5pA to 20nA
- Energy Range : 30kV down to 500V
Sample stage
- Up to 6inch wafer
EDS
- Resolution : 129eV
EBSD
- High speed 200 indexed pattern per second


3.용도
시편의 3차원 가공 및 구조, 성분의 입체적 분석
시편 제작
- TEM 시편 제작
- 3 Dimensional Atom Probe 시편 제작
EBSD를 이용한 재료의 미세조직 및 집합조직 분석
시편의 3차원 EBSD 분석
EDS를 이용한 시편의 정성분석
Indenter를 이용한 시편 내부의 Nano-scale 구조물에 대한 기계적 특성 분석