‘멀티코팅시스템 (Hydride Vapor Phase Epitaxy)’ 장비는 질화물계 반도체 기판을 성장시키는 장비로써 GaN, InN, AlN등의 물질들을 성장시킬 수 있는 장비입니다. 반응 가스로는 염화수소(HCl)과 암모니아(NH3)를 사용하고, 캐리어 가스로는 액체 질소(LN2)를 사용하여 반응 가스를 반응로 내부로 이동시켜 화합물을 기판 위에 증착(Deposition)시키는 원리입니다.