Wafer상에 형성된 Film의 휨정도를 검사하는 장비로서 광원은 Laser Beam을 사용하고 굴절 현상등을 통해 검사한다. 온도 변화에 따른 기판 곡률변화에 따른 stress 변화를 측정할 때, 온도의 range는 상온에서 500'C까지이며, 측정할 수 있는 최대 wafer size는 200mm이다.